电信号测试系统

SH-S200 双脉冲测试

SH-S200 双脉冲测试

电信号测试系统

功率器件(SiC/MOSFET)动态参数专用测试,属于功率可靠性测试,覆盖开关延迟、开关损耗等动态参数测量。

本系统高速时序控制固件、瞬态波形采集逻辑、损耗计算算法由内部团队独立开发,脉冲时序序列可自定义编辑。

具体型号、指标与报价请与我们联系,工程师将根据您的被测对象与测试项目提供选型建议与方案。

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产品咨询电话:199 1447 8851

产品详情

测试目的

捕获功率器件开通、关断瞬态波形,提取延迟时间、上升下降时间、开关损耗等关键动态参数,评估器件开关性能。

测试对象

SiC MOSFET、Si MOSFET、IGBT 等功率半导体器件。

自研核心说明

  • 自研高速时序控制固件,脉冲时序参数可灵活配置;
  • 自研同步采集逻辑,精准捕捉功率器件开关瞬态波形;
  • 软件支持开关损耗、延迟参数自动计算,测试序列自定义编辑。
自研时序控制板卡布线设计
自研时序控制板卡布线设计

注:本页为产品系列介绍,完整指标、规格文档请联系我方工程师获取。

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