面向IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT等功率半导体器件，三海提供覆盖"静态参数—动态参数—晶圆级测试"的完整解决方案，设备与软件均可按需求集成。

一、静态参数测试（半导体静态参数分析测试）

I-V曲线测量、击穿电压、开态电流（直流/脉冲）、漏极/集电极漏电流、栅极/基极漏电流、阈值电压、正向跨导、开态电阻、输入/输出/反向传输电容等；推荐设备：半导体参数分析仪、数字源表、LCR表。

二、动态参数测试（半导体功率器件动态参数测试）

开关参数、动态栅极电荷、短路测试、雪崩测试、动态导通电阻测试、开关特性测试、反向恢复特性测试；推荐设备：双脉冲测试系统（示波器、高压栅极供电电源、低压驱动供电电源、AFG双脉冲信号源、温控设备和夹具、上位机测试软件）。

三、晶圆级/探针级测试

应对12"、8"、6"晶圆Si/GaN/SiC等各类器件的先进芯片性能测试，可配备I-V、C-V、光信号、RF、1/f噪声等特性分析，可升级大功率晶圆测试、射频测试、全自动测试并加载温控系统。

四、交付与服务

方案设计 → 设备选型 → 集成联调 → 软件开发 → 现场安装培训 → 持续技术支持，全流程由三海工程师团队交付。